Единица измерения периода кристаллической решетки

ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ

Металлургический словарь . 2003 .

Смотреть что такое «ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ» в других словарях:

параметр решетки — [lattice parameter (constant)] длина ребра элементарной ячейки кристаллической решетки; единица измерения обычно нанометр, нм. Смотри также: Параметр параметр состояния дендритный параметр параметр взаим … Энциклопедический словарь по металлургии

ТИТАНОМАГНЕТИТ — – минерал, Fe3 xTixO4; непрерывная серия твердых растворов со структурой обращенной шпинели от магнетита (х=0) до ульвошпинели (х=1). Титаномагнетиты – наиболее распространенные в природе магнитные минералы, особенно магнетит. Обычны примеси Mg,… … Палеомагнитология, петромагнитология и геология. Словарь-справочник.

Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия

Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия

Металл — (Metal) Определение металла, физические и химические свойства металлов Определение металла, физические и химические свойства металлов, применение металлов Содержание Содержание Определение Нахождение в природе Свойства Характерные свойства… … Энциклопедия инвестора

ГОСТ 30330-95: Породы горные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 30330 95: Породы горные. Термины и определения оригинал документа: 161 абразивность горной породы Горно технологическое свойство, характеризующее способность горной породы изнашивать контактирующие с ней поверхности Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

ГОСТ Р 50544-93: Породы горные. Термины и определения — Терминология ГОСТ Р 50544 93: Породы горные. Термины и определения оригинал документа: 161 абразивность горной породы Горно технологическое свойство, характеризующее способность горной породы изнашивать контактирующие с ней поверхности… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

ГОСТ 18298-79: Стойкость аппаратуры, комплектующих элементов и материалов радиационная. Термины и определения — Терминология ГОСТ 18298 79: Стойкость аппаратуры, комплектующих элементов и материалов радиационная. Термины и определения оригинал документа: 20. Быстрый отжиг радиационных дефектов Отжиг простых точечных радиационных дефектов, происходящий за… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

энергия — 1 энергия: Продукция, являющаяся средством труда для выполнения работы, оказания услуги или предметом труда для выработки энергии другого вида. Источник: ГОСТ Р 53905 2010: Энергосбережение. Термины и определения оригинал документа 2.4 энергия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

энергия активации разрушения горной породы — 131 энергия активации разрушения горной породы Параметр, оценивающий в уравнении кинетической теории прочности энергию, необходимую для разрушения кристаллической решетки минералов Источник: ГОСТ 30330 95: Породы горные. Термины и определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

Источник

Период кристаллической решётки

Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае — это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно воспроизводит свой исходный вид, то есть в каждом ее узле оказываются такие же атомы, что и до сдвига.

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «Период кристаллической решётки» в других словарях:

период кристаллической решётки — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

постоянная кристаллической решётки — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

период решётки кристалла — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Период кристаллической решетки — Период кристаллической решётки длина ребра элементарной ячейки кристаллической решётки. Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае это наименьшее расстояние, при сдвиге … Википедия

Второй период периодической системы — Ко второму периоду периодической системы относятся элементы второй строки (или второго периода) периодической системы химических элементов. Строение периодической таблицы основано на строках для иллюстрации повторяющихся (периодических) трендов в … Википедия

Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия

Gitterkonstante — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Kristallgitterabstand — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

constante du réseau cristallin — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

crystal lattice spacing — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Источник

Период кристаллической решетки

Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае — это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно воспроизводит свой исходный вид, то есть в каждом ее узле оказываются такие же атомы, что и до сдвига.

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «Период кристаллической решетки» в других словарях:

Период кристаллической решётки — длина ребра элементарной ячейки кристаллической решётки. Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно… … Википедия

ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ — период решетки размер кристаллической решетки порядка атомных размеров. Для кристаллической решетки типа кубической параметр кристаллической решетки равен атомному диаметру d, типа объемно центрированного куба 2d/√3 , для… … Металлургический словарь

Первый период периодической системы — К первому периоду периодической системы относятся элементы первой строки (или первого периода) периодической системы химических элементов. Строение периодической таблицы основано на строках для иллюстрации повторяющихся (периодических) трендов в… … Википедия

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА — – характерное для равновесного состояния твердого тела (кристалла) расположение атомов (ионов), обладающих периодической повторяемостью в пространстве. У магнитных минералов период кристаллической решетки – элементарная ячейка – менее 1нм. Для… … Палеомагнитология, петромагнитология и геология. Словарь-справочник.

Брэгг, Уильям Генри — Уильям Генри Брэгг англ. William Henry Bragg Да … Википедия

Кость — I Кость (os) орган опорно двигательного аппарата, построенный преимущественно из костной ткани. Совокупность К., связанных (прерывно или непрерывно) соединительной тканью, хрящом или костной тканью, образует Скелет. Общее количество К. скелета… … Медицинская энциклопедия

Геомодификаторы трения — Эта статья предлагается к удалению. Пояснение причин и соответствующее обсуждение вы можете найти на странице Википедия:К удалению/28 ноября 2012. Пока процесс обсуждени … Википедия

Горная порода — (Rock) Горная порода это совокупнность минералов, образующая самостоятельное тело в земной коре, вследстие природных явлений Группы горных пород, магматические и метаморфические горные породы, осадочные и метасоматические горные породы, строение… … Энциклопедия инвестора

Борн, Макс — У этого термина существуют и другие значения, см. Борн. Макс Борн Max Born … Википедия

Металл — (Metal) Определение металла, физические и химические свойства металлов Определение металла, физические и химические свойства металлов, применение металлов Содержание Содержание Определение Нахождение в природе Свойства Характерные свойства… … Энциклопедия инвестора

Источник

Электронная библиотека

Кристаллическую решетку характеризуют следующие основные параметры:

· базис и коэффициент компактности решетки.

Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки (см. рис. 1.2, а, b). Периоды решетки выражаются в ангстремах (1 = 10 -8 см). Параметры решетки металлов находятся в пределах 0,2 – 0,7 нм и определяются методом рентгеноструктурного анализа с точностью до третьего, а при необходимости и до четвертого или даже пятого знака после запятой.

Под атомным радиусом понимают половину межатомного расстояния между центрами ближайших атомов в кристаллической решетке элемента при нормальной температуре и атмосферном давлении. Однако атомный радиус не является постоянной величиной, а изменяется в зависимости от ряда факторов, важнейшими из которых являются координационное число и тип химической связи между атомами в кристалле.

Энергия кристаллической решетки определяется как энергия, выделяющаяся при образовании кристалла из ионов, атомов или других частиц, образующих кристалл, когда исходное состояние этих частиц газообразное. От величины энергии решетки зависят такие свойства вещества, как температура плавления, модуль упругости, прочность, твердость и др. Увеличение валентности атомов приводит к увеличению энергии решетки.

Координационное число (К), показывает количество атомов, находящихся на наиболее близком и равном расстоянии от любого выбранного атома в решетке.

Базисом решетки называется количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку решетки.

Коэффициент компактности (?) решетки определяется отношением объема, занимаемого атомами (Va), ко всему объему решетки (Vp), т.е.

? = Va/Vp. Представленные на рис. 1.2 (сверху) типы кристаллических решеток схематично отражают взаимное расположение атомов (ионов) в кристалле. Если условно считать атомы шарами одинакового диаметра, то снизу на рис. 1.2 дано более точное представление о действительном расположении атомов в кристаллах ОЦК, ГЦК и ГПУ

Пример: Гранецентрированная кубическая решетка (рис. 1.2, б) имеет восемь атомов по вершинам и по одному атому в центре граней куба. Определим для нее такие понятия, как «координационное число» и «базис» решетки.

Оперируя с элементарной ячейкой, нельзя забывать, что в реальном кристалле такая ячейка окружена со всех сторон другими ячейками и поэтому не все атомы, отно

сящиеся к рассматриваемой ячейке, принадлежат только этой ячейке. Для того чтобы это понять, рекомендуется изобразить на клетчатой бумаге элементарную ячейку и пристроить к ней со всех сторон другие ячейки. Важность такого построения выявляется при решении конкретных задач.

Из рис. 1.2, б видно, что минимальное расстояние между атомами в решетке ГЦК равно половине диагонали грани. Пристроив около какой-либо вершины куба другие примыкающие к ней ячейки, подсчитаем координационное число: к любой вершине куба реально пристроены 8 элементарных ячеек; в каждой ячейке на расстоянии η диагонали грани находится три атома; каждая грань обслуживает две ячейки, поэтому

Срочно?
Закажи у профессионала, через форму заявки
8 (800) 100-77-13 с 7.00 до 22.00

Источник

Период кристаллической решётки

Постоя́нная решётки, или параметр решётки — размеры элементарной кристаллической ячейки кристалла. В общем случае элементарная ячейка представляет собой параллелепипед с различными длинами рёбер, обычно эти длины обозначают как a, b, c . Но в некоторых частных случаях кристаллической структуры дли́ны этих рёбер совпадают. Если к тому же выходящие из одной вершины рёбра равны и взаимно перпендикулярны, то такую структуру называют кубической. Структуру с двумя равными рёбрами, находящимися под углом 120 градусов, и третьим ребром, перпендикулярным им, называют гексагональной.

Принято считать что, параметры элементарной ячейки описываются 6 числами: 3 длинами рёбер и 3 углами между рёбрами, принадлежащими одной вершине параллелепипеда.

Например, элементарная ячейка алмаза — кубическая и имеет параметр решётки 0,357 нм при температуре 300 К .

В литературе обычно не приводят все шесть параметров решётки, только среднюю длину рёбер ячейки и тип решётки.

Размерность параметров решётки a , b , c в СИ — длина. Величину, ввиду малости, обычно приводят в нанометрах или ангстремах ( 1 Å = 0,1 нм ).

Параметры решётки могут быть экспериментально определены методами рентгеноструктурного анализа (исторически первый метод, развитый в начале XX века) или, начиная с конца XX века, — атомно-силовой микроскопией. Параметр кристаллической решётки может использоваться в качестве природного эталона длины нанометрового диапазона. [1] [2]

Содержание

Объём элементарной ячейки

Объём элементарной ячейки можно вычислить, зная её параметры (длины и углы параллелепипеда). Если три смежных рёбра ячейки представить в виде векторов, то объём ячейки V равен (с точностью до знака) тройному скалярному произведению этих векторов (т.е. скалярному произведению одного из векторов на векторное произведение двух других). В общем случае

V = a b c 1 + 2 cos ⁡ α cos ⁡ β cos ⁡ γ − cos 2 ⁡ α − cos 2 ⁡ β − cos 2 ⁡ γ . <\displaystyle V=abc<\sqrt <1+2\cos \alpha \cos \beta \cos \gamma -\cos ^<2>\alpha -\cos ^<2>\beta -\cos ^<2>\gamma >>.>

Для моноклинных решёток α = γ = 90° , и формула упрощается до

V = a b c sin ⁡ β . <\displaystyle V=abc\sin \beta .>

Для орторомбических, тетрагональных и кубических решёток угол β также равен 90°, поэтому [3]

V = a b c . <\displaystyle V=abc.>

Слоистые полупроводниковые гетероструктуры

Постоянство параметров решётки разнородных материалов позволяет получить слоистые, с толщиной слоёв в единицы нанометров сэндвичи разных полупроводников. Этот метод обеспечивает получение широкой запрещённой зоны во внутреннем слое полупроводника и используется при производстве высокоэффективных светодиодов и полупроводниковых лазеров.

Согласование параметров решётки

Параметры решётки важны при эпитаксиальном выращивании тонких монокристаллических слоёв другого материала на поверхности иного монокристалла — подложки. При значительной разнице параметров решётки материалов трудно получить монокристалличность и бездислокационность наращиваемого слоя. Например, в полупроводниковой технологии для выращивания эпитаксиальных слоёв монокристаллического кремния в качестве гетероподложки обычно используют сапфир (монокристалл оксида алюминия), так как оба имеют практически равные постоянные решётки, но с разным типом сингонии, у кремния — кубическая типа алмаза, у сапфира — тригональная.

Обыкновенно параметры решётки подложки и наращиваемого слоя выбирают так, чтобы обеспечить минимум напряжений в слое плёнки.

Другим способом согласования параметров решёток является метод формирования переходного слоя между плёнкой и подложкой, в котором параметр решётки изменяется плавно (например, через слой твёрдого раствора с постепенным замещением атомов вещества подложки атомами выращиваемой плёнки, так чтобы параметр решётки слоя твёрдого раствора у самой плёнки совпадал с этим параметром плёнки).

Например, слой фосфида индия-галлия с шириной запрещённой зоны 1,9 эВ может быть выращен на пластине арсенида галлия с помощью метода промежуточного слоя.

Источник

Период кристаллической решетки

Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае — это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно воспроизводит свой исходный вид, то есть в каждом ее узле оказываются такие же атомы, что и до сдвига.

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «Период кристаллической решетки» в других словарях:

Период кристаллической решётки — длина ребра элементарной ячейки кристаллической решётки. Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно… … Википедия

ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ — период решетки размер кристаллической решетки порядка атомных размеров. Для кристаллической решетки типа кубической параметр кристаллической решетки равен атомному диаметру d, типа объемно центрированного куба 2d/√3 , для… … Металлургический словарь

Первый период периодической системы — К первому периоду периодической системы относятся элементы первой строки (или первого периода) периодической системы химических элементов. Строение периодической таблицы основано на строках для иллюстрации повторяющихся (периодических) трендов в… … Википедия

КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ РЕШЕТКА — – характерное для равновесного состояния твердого тела (кристалла) расположение атомов (ионов), обладающих периодической повторяемостью в пространстве. У магнитных минералов период кристаллической решетки – элементарная ячейка – менее 1нм. Для… … Палеомагнитология, петромагнитология и геология. Словарь-справочник.

Брэгг, Уильям Генри — Уильям Генри Брэгг англ. William Henry Bragg Да … Википедия

Кость — I Кость (os) орган опорно двигательного аппарата, построенный преимущественно из костной ткани. Совокупность К., связанных (прерывно или непрерывно) соединительной тканью, хрящом или костной тканью, образует Скелет. Общее количество К. скелета… … Медицинская энциклопедия

Геомодификаторы трения — Эта статья предлагается к удалению. Пояснение причин и соответствующее обсуждение вы можете найти на странице Википедия:К удалению/28 ноября 2012. Пока процесс обсуждени … Википедия

Горная порода — (Rock) Горная порода это совокупнность минералов, образующая самостоятельное тело в земной коре, вследстие природных явлений Группы горных пород, магматические и метаморфические горные породы, осадочные и метасоматические горные породы, строение… … Энциклопедия инвестора

Борн, Макс — У этого термина существуют и другие значения, см. Борн. Макс Борн Max Born … Википедия

Металл — (Metal) Определение металла, физические и химические свойства металлов Определение металла, физические и химические свойства металлов, применение металлов Содержание Содержание Определение Нахождение в природе Свойства Характерные свойства… … Энциклопедия инвестора

Источник

Электронная библиотека

Кристаллическую решетку характеризуют следующие основные параметры:

· базис и коэффициент компактности решетки.

Периодом решетки называется расстояние между центрами двух соседних частиц (атомов, ионов) в элементарной ячейке решетки (см. рис. 1.2, а, b). Периоды решетки выражаются в ангстремах (1 = 10 -8 см). Параметры решетки металлов находятся в пределах 0,2 – 0,7 нм и определяются методом рентгеноструктурного анализа с точностью до третьего, а при необходимости и до четвертого или даже пятого знака после запятой.

Под атомным радиусом понимают половину межатомного расстояния между центрами ближайших атомов в кристаллической решетке элемента при нормальной температуре и атмосферном давлении. Однако атомный радиус не является постоянной величиной, а изменяется в зависимости от ряда факторов, важнейшими из которых являются координационное число и тип химической связи между атомами в кристалле.

Энергия кристаллической решетки определяется как энергия, выделяющаяся при образовании кристалла из ионов, атомов или других частиц, образующих кристалл, когда исходное состояние этих частиц газообразное. От величины энергии решетки зависят такие свойства вещества, как температура плавления, модуль упругости, прочность, твердость и др. Увеличение валентности атомов приводит к увеличению энергии решетки.

Координационное число (К), показывает количество атомов, находящихся на наиболее близком и равном расстоянии от любого выбранного атома в решетке.

Базисом решетки называется количество атомов, приходящихся на одну элементарную ячейку решетки.

Коэффициент компактности (?) решетки определяется отношением объема, занимаемого атомами (Va), ко всему объему решетки (Vp), т.е.

? = Va/Vp. Представленные на рис. 1.2 (сверху) типы кристаллических решеток схематично отражают взаимное расположение атомов (ионов) в кристалле. Если условно считать атомы шарами одинакового диаметра, то снизу на рис. 1.2 дано более точное представление о действительном расположении атомов в кристаллах ОЦК, ГЦК и ГПУ

Пример: Гранецентрированная кубическая решетка (рис. 1.2, б) имеет восемь атомов по вершинам и по одному атому в центре граней куба. Определим для нее такие понятия, как «координационное число» и «базис» решетки.

Оперируя с элементарной ячейкой, нельзя забывать, что в реальном кристалле такая ячейка окружена со всех сторон другими ячейками и поэтому не все атомы, отно

сящиеся к рассматриваемой ячейке, принадлежат только этой ячейке. Для того чтобы это понять, рекомендуется изобразить на клетчатой бумаге элементарную ячейку и пристроить к ней со всех сторон другие ячейки. Важность такого построения выявляется при решении конкретных задач.

Из рис. 1.2, б видно, что минимальное расстояние между атомами в решетке ГЦК равно половине диагонали грани. Пристроив около какой-либо вершины куба другие примыкающие к ней ячейки, подсчитаем координационное число: к любой вершине куба реально пристроены 8 элементарных ячеек; в каждой ячейке на расстоянии η диагонали грани находится три атома; каждая грань обслуживает две ячейки, поэтому

Срочно?
Закажи у профессионала, через форму заявки
8 (800) 100-77-13 с 7.00 до 22.00

Источник

Период кристаллической решётки

Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае — это наименьшее расстояние, при сдвиге на которое решетка точно воспроизводит свой исходный вид, то есть в каждом ее узле оказываются такие же атомы, что и до сдвига.

Wikimedia Foundation . 2010 .

Смотреть что такое «Период кристаллической решётки» в других словарях:

период кристаллической решётки — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

постоянная кристаллической решётки — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

период решётки кристалла — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Период кристаллической решетки — Период кристаллической решётки длина ребра элементарной ячейки кристаллической решётки. Для самой простой идеальной одноатомной кубической решетки это просто расстояние между соседними атомами. В общем случае это наименьшее расстояние, при сдвиге … Википедия

Второй период периодической системы — Ко второму периоду периодической системы относятся элементы второй строки (или второго периода) периодической системы химических элементов. Строение периодической таблицы основано на строках для иллюстрации повторяющихся (периодических) трендов в … Википедия

Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия

Gitterkonstante — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Kristallgitterabstand — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

constante du réseau cristallin — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

crystal lattice spacing — kristalo gardelės konstanta statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. crystal lattice spacing; lattice constant vok. Gitterkonstante, f; Kristallgitterabstand, m rus. период кристаллической решётки, m; период решётки кристалла, m; постоянная… … Fizikos terminų žodynas

Источник

Период кристаллической решётки

Постоя́нная решётки, или параметр решётки — размеры элементарной кристаллической ячейки кристалла. В общем случае элементарная ячейка представляет собой параллелепипед с различными длинами рёбер, обычно эти длины обозначают как a, b, c . Но в некоторых частных случаях кристаллической структуры дли́ны этих рёбер совпадают. Если к тому же выходящие из одной вершины рёбра равны и взаимно перпендикулярны, то такую структуру называют кубической. Структуру с двумя равными рёбрами, находящимися под углом 120 градусов, и третьим ребром, перпендикулярным им, называют гексагональной.

Принято считать что, параметры элементарной ячейки описываются 6 числами: 3 длинами рёбер и 3 углами между рёбрами, принадлежащими одной вершине параллелепипеда.

Например, элементарная ячейка алмаза — кубическая и имеет параметр решётки 0,357 нм при температуре 300 К .

В литературе обычно не приводят все шесть параметров решётки, только среднюю длину рёбер ячейки и тип решётки.

Размерность параметров решётки a , b , c в СИ — длина. Величину, ввиду малости, обычно приводят в нанометрах или ангстремах ( 1 Å = 0,1 нм ).

Параметры решётки могут быть экспериментально определены методами рентгеноструктурного анализа (исторически первый метод, развитый в начале XX века) или, начиная с конца XX века, — атомно-силовой микроскопией. Параметр кристаллической решётки может использоваться в качестве природного эталона длины нанометрового диапазона. [1] [2]

Содержание

Объём элементарной ячейки

Объём элементарной ячейки можно вычислить, зная её параметры (длины и углы параллелепипеда). Если три смежных рёбра ячейки представить в виде векторов, то объём ячейки V равен (с точностью до знака) тройному скалярному произведению этих векторов (т.е. скалярному произведению одного из векторов на векторное произведение двух других). В общем случае

V = a b c 1 + 2 cos ⁡ α cos ⁡ β cos ⁡ γ − cos 2 ⁡ α − cos 2 ⁡ β − cos 2 ⁡ γ . <\displaystyle V=abc<\sqrt <1+2\cos \alpha \cos \beta \cos \gamma -\cos ^<2>\alpha -\cos ^<2>\beta -\cos ^<2>\gamma >>.>

Для моноклинных решёток α = γ = 90° , и формула упрощается до

V = a b c sin ⁡ β . <\displaystyle V=abc\sin \beta .>

Для орторомбических, тетрагональных и кубических решёток угол β также равен 90°, поэтому [3]

V = a b c . <\displaystyle V=abc.>

Слоистые полупроводниковые гетероструктуры

Постоянство параметров решётки разнородных материалов позволяет получить слоистые, с толщиной слоёв в единицы нанометров сэндвичи разных полупроводников. Этот метод обеспечивает получение широкой запрещённой зоны во внутреннем слое полупроводника и используется при производстве высокоэффективных светодиодов и полупроводниковых лазеров.

Согласование параметров решётки

Параметры решётки важны при эпитаксиальном выращивании тонких монокристаллических слоёв другого материала на поверхности иного монокристалла — подложки. При значительной разнице параметров решётки материалов трудно получить монокристалличность и бездислокационность наращиваемого слоя. Например, в полупроводниковой технологии для выращивания эпитаксиальных слоёв монокристаллического кремния в качестве гетероподложки обычно используют сапфир (монокристалл оксида алюминия), так как оба имеют практически равные постоянные решётки, но с разным типом сингонии, у кремния — кубическая типа алмаза, у сапфира — тригональная.

Обыкновенно параметры решётки подложки и наращиваемого слоя выбирают так, чтобы обеспечить минимум напряжений в слое плёнки.

Другим способом согласования параметров решёток является метод формирования переходного слоя между плёнкой и подложкой, в котором параметр решётки изменяется плавно (например, через слой твёрдого раствора с постепенным замещением атомов вещества подложки атомами выращиваемой плёнки, так чтобы параметр решётки слоя твёрдого раствора у самой плёнки совпадал с этим параметром плёнки).

Например, слой фосфида индия-галлия с шириной запрещённой зоны 1,9 эВ может быть выращен на пластине арсенида галлия с помощью метода промежуточного слоя.

Источник

Период кристаллической решётки

Постоя́нная решётки, или параметр решётки — размеры элементарной кристаллической ячейки кристалла. В общем случае элементарная ячейка представляет собой параллелепипед с различными длинами рёбер, обычно эти длины обозначают как a, b, c . Но в некоторых частных случаях кристаллической структуры дли́ны этих рёбер совпадают. Если к тому же выходящие из одной вершины рёбра равны и взаимно перпендикулярны, то такую структуру называют кубической. Структуру с двумя равными рёбрами, находящимися под углом 120 градусов, и третьим ребром, перпендикулярным им, называют гексагональной.

Принято считать что, параметры элементарной ячейки описываются 6 числами: 3 длинами рёбер и 3 углами между рёбрами, принадлежащими одной вершине параллелепипеда.

Например, элементарная ячейка алмаза — кубическая и имеет параметр решётки 0,357 нм при температуре 300 К .

В литературе обычно не приводят все шесть параметров решётки, только среднюю длину рёбер ячейки и тип решётки.

Размерность параметров решётки a , b , c в СИ — длина. Величину, ввиду малости, обычно приводят в нанометрах или ангстремах ( 1 Å = 0,1 нм ).

Параметры решётки могут быть экспериментально определены методами рентгеноструктурного анализа (исторически первый метод, развитый в начале XX века) или, начиная с конца XX века, — атомно-силовой микроскопией. Параметр кристаллической решётки может использоваться в качестве природного эталона длины нанометрового диапазона. [1] [2]

Содержание

Объём элементарной ячейки [ | ]

Объём элементарной ячейки можно вычислить, зная её параметры (длины и углы параллелепипеда). Если три смежных рёбра ячейки представить в виде векторов, то объём ячейки V равен (с точностью до знака) тройному скалярному произведению этих векторов (т.е. скалярному произведению одного из векторов на векторное произведение двух других). В общем случае

V = a b c 1 + 2 cos ⁡ α cos ⁡ β cos ⁡ γ − cos 2 ⁡ α − cos 2 ⁡ β − cos 2 ⁡ γ . <\displaystyle V=abc<\sqrt <1+2\cos \alpha \cos \beta \cos \gamma -\cos ^<2>\alpha -\cos ^<2>\beta -\cos ^<2>\gamma >>.>

Для моноклинных решёток α = γ = 90° , и формула упрощается до

V = a b c sin ⁡ β . <\displaystyle V=abc\sin \beta .>

Для орторомбических, тетрагональных и кубических решёток угол β также равен 90°, поэтому [3]

V = a b c . <\displaystyle V=abc.>

Слоистые полупроводниковые гетероструктуры [ | ]

Постоянство параметров решётки разнородных материалов позволяет получить слоистые, с толщиной слоёв в единицы нанометров сэндвичи разных полупроводников. Этот метод обеспечивает получение широкой запрещённой зоны во внутреннем слое полупроводника и используется при производстве высокоэффективных светодиодов и полупроводниковых лазеров.

Согласование параметров решётки [ | ]

Параметры решётки важны при эпитаксиальном выращивании тонких монокристаллических слоёв другого материала на поверхности иного монокристалла — подложки. При значительной разнице параметров решётки материалов трудно получить монокристалличность и бездислокационность наращиваемого слоя. Например, в полупроводниковой технологии для выращивания эпитаксиальных слоёв монокристаллического кремния в качестве гетероподложки обычно используют сапфир (монокристалл оксида алюминия), так как оба имеют практически равные постоянные решётки, но с разным типом сингонии, у кремния — кубическая типа алмаза, у сапфира — тригональная.

Обыкновенно параметры решётки подложки и наращиваемого слоя выбирают так, чтобы обеспечить минимум напряжений в слое плёнки.

Другим способом согласования параметров решёток является метод формирования переходного слоя между плёнкой и подложкой, в котором параметр решётки изменяется плавно (например, через слой твёрдого раствора с постепенным замещением атомов вещества подложки атомами выращиваемой плёнки, так чтобы параметр решётки слоя твёрдого раствора у самой плёнки совпадал с этим параметром плёнки).

Например, слой фосфида индия-галлия с шириной запрещённой зоны 1,9 эВ может быть выращен на пластине арсенида галлия с помощью метода промежуточного слоя.

Источник